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RSTN30N007A1

器件名称: RSTN30N007A1
功能描述: 瑞斯特RSTN30N007A1是一款30V/200A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻为0.7mΩ（@10V），在4.5V下为0.9mΩ，具有超低导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有328mJ的雪崩能量，适用于OR-ing、服务器同步整流器、电池充电器和电源电路。
文件大小: 2752.55KB    共8页
生产厂商: RSTTEK
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器件名 功能描述 生产厂商
RSTN30N007A1 瑞斯特RSTN30N007A1是一款30V/200A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻为0.7mΩ（@10V），在4.5V下为0.9mΩ，具有超低导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有328mJ的雪崩能量，适用于OR-ing、服务器同步整流器、电池充电器和电源电路。 RSTTEK
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