RSTN30N007A1

器件名称:RSTN30N007A1

功能描述:瑞斯特RSTN30N007A1是一款30V/200A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻为0.7mΩ（@10V），在4.5V下为0.9mΩ，具有超低导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有328mJ的雪崩能量，适用于OR-ing、服务器同步整流器、电池充电器和电源电路。

文件大小:2752.55KB 共8页

生产厂商:RSTTEK

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