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RST80H12

器件名称: RST80H12

功能描述: 瑞斯特RST80H12是一款N沟道功率MOSFET，结合先进沟槽工艺和高密度单元设计，具有低导通电阻和高EAS能力。其VDS为80V，ID为120A，RDS(ON)典型值为4.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。

文件大小: 1895.27KB 共6页

生产厂商: RSTTEK

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RST80H12D 瑞斯特RST80H12D是一款N沟道功率MOSFET，采用沟槽技术实现低导通电阻和优异的热性能。其VDS为80V，ID为120A，RDS(ON)典型值为4.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-263-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、高频开关和UPS系统，散热性能优良。 RSTTEK

RST80H12 瑞斯特RST80H12是一款N沟道功率MOSFET，结合先进沟槽工艺和高密度单元设计，具有低导通电阻和高EAS能力。其VDS为80V，ID为120A，RDS(ON)典型值为4.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。 RSTTEK

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