RST80H12

器件名称:RST80H12

功能描述:瑞斯特RST80H12是一款N沟道功率MOSFET，结合先进沟槽工艺和高密度单元设计，具有低导通电阻和高EAS能力。其VDS为80V，ID为120A，RDS(ON)典型值为4.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。

文件大小:1895.27KB 共6页

生产厂商:RSTTEK

下载:

点击下载