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RST75H21

器件名称: RST75H21

功能描述: 瑞斯特RST75H21是一款N沟道功率MOSFET，专为汽车应用设计，采用先进沟槽工艺，具有超低导通电阻和高雪崩耐受能力。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。

文件大小: 2004.35KB 共6页

生产厂商: RSTTEK

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器件名功能描述生产厂商

RST75H21T 瑞斯特RST75H21T是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有超低导通电阻和优异的散热特性。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-247。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统，在高功率密度场景中表现突出。 RSTTEK

RST75H21D 瑞斯特RST75H21D是一款N沟道功率MOSFET，专为汽车应用优化，采用沟槽技术实现极低导通电阻和高散热效率。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-263-2L。该器件100%经过UIS和UDS测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。 RSTTEK

RST75H21 瑞斯特RST75H21是一款N沟道功率MOSFET，专为汽车应用设计，采用先进沟槽工艺，具有超低导通电阻和高雪崩耐受能力。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统。 RSTTEK

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