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RST75H21T
器件名称:
RST75H21T
功能描述:
瑞斯特RST75H21T是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有超低导通电阻和优异的散热特性。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-247。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统，在高功率密度场景中表现突出。
文件大小:
1969.02KB 共6页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RST75H21T
瑞斯特RST75H21T是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有超低导通电阻和优异的散热特性。其VDS为75V，ID为210A，RDS(ON)典型值为2.9mΩ（VGS=10V），封装为TO-247。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于汽车电子、硬开关和UPS系统，在高功率密度场景中表现突出。
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