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RST70H10F
器件名称:
RST70H10F
功能描述:
瑞斯特RST70H10F是一款N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有极低导通电阻和高电流能力。其VDS为70V，ID为100A，RDS(ON)典型值仅为4.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-220F。该器件专为转换器和电源控制设计，100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统。
文件大小:
1970.51KB 共6页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RST70H10F
瑞斯特RST70H10F是一款N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有极低导通电阻和高电流能力。其VDS为70V，ID为100A，RDS(ON)典型值仅为4.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-220F。该器件专为转换器和电源控制设计，100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统。
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