RST70H10F

器件名称:RST70H10F

功能描述:瑞斯特RST70H10F是一款N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有极低导通电阻和高电流能力。其VDS为70V，ID为100A，RDS(ON)典型值仅为4.8mΩ（VGS=10V），封装为TO-220F。该器件专为转换器和电源控制设计，100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统。

文件大小:1970.51KB 共6页

生产厂商:RSTTEK

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