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RSTNG60N022A1H

器件名称: RSTNG60N022A1H

功能描述: 瑞斯特RSTNG60N022A1H是一款60V/170A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为2.2mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，最高结温175°C，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用。

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生产厂商: RSTTEK

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RSTNG60N022A1H 瑞斯特RSTNG60N022A1H是一款60V/170A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为2.2mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，最高结温175°C，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用。 RSTTEK