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RSTNG60N06A1
器件名称:
RSTNG60N06A1
功能描述:
瑞斯特RSTNG60N06A1是一款60V/60A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为10mΩ，在VGS=4.5V时为15mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，MSL等级为1级，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用。
文件大小:
2376.9KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RSTNG60N06A1
瑞斯特RSTNG60N06A1是一款60V/60A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为10mΩ，在VGS=4.5V时为15mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，MSL等级为1级，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用。
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