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RSTNG60D10A2LD

器件名称: RSTNG60D10A2LD

功能描述: 瑞斯特RSTNG60D10A2LD是一款60V/20A的N沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为13mΩ，在VGS=4.5V时为18mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，适用于电池保护、负载开关和桥式拓扑等应用。

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生产厂商: RSTTEK

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RSTNG60D10A2LD 瑞斯特RSTNG60D10A2LD是一款60V/20A的N沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为13mΩ，在VGS=4.5V时为18mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，适用于电池保护、负载开关和桥式拓扑等应用。 RSTTEK