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RSTN30PD10A1
器件名称:
RSTN30PD10A1
功能描述:
瑞斯特RSTN30PD10A1是一款PDFN5*6-8L封装的-30V/-42A P沟道功率MOSFET，内部集成双路P沟道。其典型导通电阻为10mΩ（@-10V），在4.5V下为14mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有45mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
文件大小:
3729KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RSTN30PD10A1
瑞斯特RSTN30PD10A1是一款PDFN5*6-8L封装的-30V/-42A P沟道功率MOSFET，内部集成双路P沟道。其典型导通电阻为10mΩ（@-10V），在4.5V下为14mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有45mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
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