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RSTN30PD09A2
器件名称:
RSTN30PD09A2
功能描述:
瑞斯特RSTN30PD09A2是一款-30V/-35A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。其典型导通电阻为9mΩ（@-10V），在4.5V下为10mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有80mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
文件大小:
2389.59KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RSTN30PD09A2
瑞斯特RSTN30PD09A2是一款-30V/-35A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。其典型导通电阻为9mΩ（@-10V），在4.5V下为10mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有80mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
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