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RSTN30P06A2

器件名称: RSTN30P06A2

功能描述: 瑞斯特RSTN30P06A2是一款-30V/-50A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3_8L_EP1_P封装。其典型导通电阻为6mΩ（@-10V），在4.5V下为8mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有169mJ的雪崩能量，适用于负载开关和电池组电源管理。

文件大小: 2263.08KB 共8页

生产厂商: RSTTEK

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RSTN30P06A2 瑞斯特RSTN30P06A2是一款-30V/-50A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3_8L_EP1_P封装。其典型导通电阻为6mΩ（@-10V），在4.5V下为8mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有169mJ的雪崩能量，适用于负载开关和电池组电源管理。 RSTTEK