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RSTN30N12A1

器件名称: RSTN30N12A1

功能描述: 瑞斯特RSTN30N12A1是一款30V/24A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装。其典型导通电阻为12.5mΩ（@10V），在4.5V下为19.5mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有25mJ的雪崩能量，适用于台式机电源管理和DC/DC转换器。

文件大小: 2302.73KB 共8页

生产厂商: RSTTEK

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RSTN30N12A1 瑞斯特RSTN30N12A1是一款30V/24A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装。其典型导通电阻为12.5mΩ（@10V），在4.5V下为19.5mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有25mJ的雪崩能量，适用于台式机电源管理和DC/DC转换器。 RSTTEK