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RSTN30N02A2
器件名称:
RSTN30N02A2
功能描述:
瑞斯特RSTN30N02A2是一款30V/50A的N沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3A-8_EP封装。其典型导通电阻为1.8mΩ（@10V），在4.5V下为2.4mΩ，具有180mJ的雪崩能量。该器件通过了100% UIS和Rg测试，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
文件大小:
2501.58KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RSTN30N02A2
瑞斯特RSTN30N02A2是一款30V/50A的N沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3A-8_EP封装。其典型导通电阻为1.8mΩ（@10V），在4.5V下为2.4mΩ，具有180mJ的雪崩能量。该器件通过了100% UIS和Rg测试，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
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