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RSTN30L180A1SJ

器件名称: RSTN30L180A1SJ
功能描述: 瑞斯特RSTN30L180A1SJ是一款-30V/-180A的P沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻为1.9mΩ（@-10V），在4.5V下为2.7mΩ，具有极低导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有900mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
文件大小: 2341.84KB    共8页
生产厂商: RSTTEK
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器件名 功能描述 生产厂商
RSTN30L180A1SJ 瑞斯特RSTN30L180A1SJ是一款-30V/-180A的P沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻为1.9mΩ（@-10V），在4.5V下为2.7mΩ，具有极低导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有900mJ的雪崩能量，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。 RSTTEK
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