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RSTN30D20A2

器件名称: RSTN30D20A2

功能描述: 瑞斯特RSTN30D20A2是一款-30V/-15A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2_P封装。其典型导通电阻为20mΩ（@-10V），在4.5V下为25mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有30mJ的雪崩能量，适用于Pico-Projector等应用。

文件大小: 2313.82KB 共8页

生产厂商: RSTTEK

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RSTN30D20A2 瑞斯特RSTN30D20A2是一款-30V/-15A的P沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2_P封装。其典型导通电阻为20mΩ（@-10V），在4.5V下为25mΩ。该器件通过了100% UIS和Rg测试，具有30mJ的雪崩能量，适用于Pico-Projector等应用。 RSTTEK