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RSTN30N03A2YD
器件名称:
RSTN30N03A2YD
功能描述:
瑞斯特RSTN30N03A2YD是一款30V、80A的N沟道功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8L封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为3.2mΩ，在VGS=4.5V时为4.3mΩ，具有极低的导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，可靠耐用。它适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理，且符合RoHS标准。
文件大小:
2917.75KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RSTN30N03A2YD
瑞斯特RSTN30N03A2YD是一款30V、80A的N沟道功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8L封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为3.2mΩ，在VGS=4.5V时为4.3mΩ，具有极低的导通损耗。该器件通过了100% UIS和Rg测试，可靠耐用。它适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理，且符合RoHS标准。
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