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RST82H140

器件名称: RST82H140

功能描述: 瑞斯特RST82H140是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有极低导通电阻和高ESD防护能力。其VDS为82V，ID为140A，RDS(ON)典型值为4.3mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统，电源转换效率高。

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生产厂商: RSTTEK

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RST82H140LL 瑞斯特RST82H140LL是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有极低导通电阻和高ESD防护能力。其VDS为82V，ID为140A，RDS(ON)典型值为4.0mΩ（VGS=10V），封装为TOLL（表面贴装）。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统，适合高密度贴装应用。 RSTTEK

RST82H140D 瑞斯特RST82H140D是一款N沟道功率MOSFET，采用沟槽技术设计，具备低导通电阻和优异的散热特性。其VDS为82V，ID为140A，RDS(ON)典型值为4.3mΩ（VGS=10V），封装为TO-263-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于电源开关、硬开关和UPS系统，高电流场景下表现稳定。 RSTTEK

RST82H140 瑞斯特RST82H140是一款N沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有极低导通电阻和高ESD防护能力。其VDS为82V，ID为140A，RDS(ON)典型值为4.3mΩ（VGS=10V），封装为TO-220-3L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于硬开关、高频电路和UPS系统，电源转换效率高。 RSTTEK

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