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RST60P55K
器件名称:
RST60P55K
功能描述:
瑞斯特RST60P55K是一款P沟道功率MOSFET，基于先进沟槽技术，具有低导通电阻和高雪崩耐受能力。其VDS为-60V，ID为-55A，RDS(ON)典型值为23mΩ（VGS=-10V），封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于全桥转换器和LCD显示DC-DC转换器，在严苛的高电流环境中表现稳定。
文件大小:
1881.51KB 共6页
生产厂商:
RSTTEK
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器件名
功能描述
生产厂商
RST60P55K
瑞斯特RST60P55K是一款P沟道功率MOSFET，基于先进沟槽技术，具有低导通电阻和高雪崩耐受能力。其VDS为-60V，ID为-55A，RDS(ON)典型值为23mΩ（VGS=-10V），封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于全桥转换器和LCD显示DC-DC转换器，在严苛的高电流环境中表现稳定。
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