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RST60P25

器件名称: RST60P25

功能描述: 瑞斯特RST60P25是一款P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术实现低导通电阻和高电流能力。其VDS为-60V，ID为-25A，RDS(ON)典型值为39mΩ（VGS=-10V），封装为TO-220-3L，具有优良的散热特性。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于全桥转换器、LCD显示DC-DC转换器，在高电流负载应用中性能卓越。

文件大小: 1999.23KB 共6页

生产厂商: RSTTEK

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器件名功能描述生产厂商

RST60P25K 瑞斯特RST60P25K是一款P沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具有低导通损耗和高雪崩耐受能力。其VDS为-60V，ID为-25A，RDS(ON)典型值为37mΩ（VGS=-10V），封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于高侧开关、全桥转换器和DC-DC转换器，在高功率密度系统中表现优异。 RSTTEK

RST60P25 瑞斯特RST60P25是一款P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术实现低导通电阻和高电流能力。其VDS为-60V，ID为-25A，RDS(ON)典型值为39mΩ（VGS=-10V），封装为TO-220-3L，具有优良的散热特性。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于全桥转换器、LCD显示DC-DC转换器，在高电流负载应用中性能卓越。 RSTTEK

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