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RST60P12K

器件名称: RST60P12K
功能描述: 瑞斯特RST60P12K是一款P沟道功率MOSFET,采用沟槽工艺设计,具有高密度单元和优异的雪崩耐受能力。其VDS为-60V,ID为-12A,RDS(ON)典型值为84mΩ(VGS=-10V),封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试,适用于全桥转换器和LCD显示DC-DC转换器,在高侧开关应用中表现稳定。
文件大小: 1969.87KB    共6页
生产厂商: RSTTEK
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器件名 功能描述 生产厂商
RST60P12K 瑞斯特RST60P12K是一款P沟道功率MOSFET,采用沟槽工艺设计,具有高密度单元和优异的雪崩耐受能力。其VDS为-60V,ID为-12A,RDS(ON)典型值为84mΩ(VGS=-10V),封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试,适用于全桥转换器和LCD显示DC-DC转换器,在高侧开关应用中表现稳定。 RSTTEK
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