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TB5128HG

器件名称: TB5128HG
功能描述: 1. **BiCD工艺集成**: - TB5128HG采用东芝的BiCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造,该工艺将高性能的双极晶体管、低功耗的CMOS逻辑和高电压电流处理能力的DMOS FETs结合在一起。这种集成带来了紧凑且高效的单片IC。 2. **多种步进控制**: - TB5128HG支持多种步进分辨率,包括1/1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64和1/128步模式。这种灵活性使工程师可以根据具体应用需求优化驱动器的精度和平滑度。 3. **高电压和
文件大小: 4339.51KB    共36页
生产厂商: TOSHIBA
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器件名 功能描述 生产厂商
TB5128HG 1. **BiCD工艺集成**: - TB5128HG采用东芝的BiCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造,该工艺将高性能的双极晶体管、低功耗的CMOS逻辑和高电压电流处理能力的DMOS FETs结合在一起。这种集成带来了紧凑且高效的单片IC。 2. **多种步进控制**: - TB5128HG支持多种步进分辨率,包括1/1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64和1/128步模式。这种灵活性使工程师可以根据具体应用需求优化驱动器的精度和平滑度。 3. **高电压和 TOSHIBA
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