T4
器件名称: T4
功能描述: 4A TRIACS
文件大小: 118KB 共8页
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器件名 功能描述 生产厂商
T435T-600FP 瑞斯特(RST)T435T-600FP 是一款将工作结温提升至 150°C 的高抗扰型三端双向可控硅,采用 TO-220F 全塑封绝缘封装,阻断电压为 600V,通态电流为 4A。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 35mA,在保持高抗扰能力的同时将工作结温上限扩展至 150°C——断态电压临界上升率(dV/dt)在 400V 偏压、150°C 结温下达 1200V/μs,换向通态电流临界下降率(dI/dt)c 达 8A/μs。 RSTTEK
T435-600H 瑞斯特(RST)T435-600H 是一款额定通态电流为 4A 的高抗扰型三端双向可控硅,采用 TO-251(IPAK)直插式封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 35mA,相比 T405/T410 系列的 5mA/10mA 有显著提升,这一设计选择换取了优异的抗干扰性能——断态电压临界上升率(dV/dt)在 400V 偏压、125°C 结温下达 1500V/μs,是 T410 系列的 5 倍。 RSTTEK
T410H-6T 瑞斯特(RST)T410H-6T 是一款将工作结温提升至 150°C 的高灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-220C 封装,阻断电压为 600V,通态电流为 4A。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 10mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口直接驱动,同时在 150°C 高温环境下仍能保持稳定的开关性能。 RSTTEK
T410-600T 瑞斯特(RST)T410-600T 是一款额定通态电流为 4A 的高灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-220C 封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 10mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口直接驱动,同时具备 300V/μs 的断态电压临界上升率(dV/dt)和 100A/μs 的临界通态电流上升率(dI/dt)。 RSTTEK
T410-600H 瑞斯特(RST)T410-600H 是一款额定通态电流为 4A 的高灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-251(IPAK)直插式封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 10mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口直接驱动,同时在动态性能方面较 T405 系列实现了显著提升——断态电压临界上升率(dV/dt)达 300V/μs,临界通态电流上升率(dI/dt)为 100A/μs。 RSTTEK
T410-600B 瑞斯特(RST)T410-600B 是一款额定通态电流为 4A 的高灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-252(DPAK)表面贴装封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 10mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口配合简单的阻容网络直接驱动,无需额外的驱动放大级。 RSTTEK
T405T-6FP 瑞斯特(RST)T405T-6FP 是一款额定通态电流为 4A 的超灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-220F 全塑封绝缘封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 5mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口直接驱动。其最显著的特征在于采用外部塑料封装实现了 2000V(RMS) 的额定绝缘电压(通过 UL 认证,档案号 E252906),无需额外使用绝缘垫片即可直接安装于散热片上。 RSTTEK
T405Q-600H 瑞斯特(RST)T405Q-600H 是一款额定通态电流为 4A 的四象限触发三端双向可控硅,采用 TO-251(IPAK)封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 5mA,第四象限为 10mA,支持完整的四象限触发模式,能够适应各种门极驱动信号极性要求。 RSTTEK
T405Q-600B 瑞斯特(RST)T405Q-600B 是一款额定通态电流为 4A 的四象限触发三端双向可控硅,采用 TO-252(DPAK)表面贴装封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值为 5mA,第四象限为 10mA,在保持低触发功耗的同时支持完整的四象限触发模式,能够适应各种门极驱动信号极性要求。 RSTTEK
T405-600T 瑞斯特(RST)T405-600T 是一款额定通态电流为 4A 的超灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-220C 封装,阻断电压为 600V。该器件前三象限门极触发电流(IGT)典型值仅为 5mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口通过简单的限流电阻直接驱动,无需额外的驱动放大级。 RSTTEK
T405-600H 瑞斯特(RST)T405-600H 是一款额定通态电流为 4A 的超灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-251(IPAK)封装,阻断电压为 600V。该器件与 T405-600B 属于同一核心芯片平台,前三象限门极触发电流(IGT)典型值仅为 5mA,同样支持 MCU I/O 端口直接驱动。 RSTTEK
T405-600B 瑞斯特(RST)T405-600B 是一款额定通态电流为 4A 的超灵敏型三端双向可控硅,采用 TO-252(DPAK)表面贴装封装,阻断电压为 600V。该器件的核心优势在于其极低的门极触发电流(IGT)——前三象限典型值仅 5mA,可由微控制器(MCU)I/O 端口通过简单的限流电阻直接驱动,无需额外的驱动晶体管或专用驱动 IC。 RSTTEK
T42 Vishay Sprague T42系列提供符合MIL-PRF-55365要求的高可靠性和浪涌电流测试选项,内置熔丝可实现自动防故障操作,兼具高容量和高电压,在+25℃和100kHz条件下ESR低至80mΩ。 VISHAY
T400BB-LC Low Capacitance Bi-Directional Surface Mount Thyristor Surge Protective Device WEITRON
T400CB-LC Low Capacitance Bi-Directional Surface Mount Thyristor Surge Protective Device WEITRON
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T499_1 High Temperature (+175) Tantalum SMT Capaci KEMET
T499 High Temperature (+175) Tantalum SMT Capaci KEMET
T498_1 Product Update - T498 High Temperature (+150) Tantalum SM KEMET
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T491 LOW PROFILE SURFACE MOUNT CAPACITORS KEMET
T48TU High Voltage Precision Thick Film Resistors WELWYN
T48KU High Voltage Precision Thick Film Resistors WELWYN
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T48C893-TKQ The multiple times programmable (MTP) version for the MARC4 ROM types ATMEL
T48C893-TK The multiple times programmable (MTP) version for the MARC4 ROM types ATMEL
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T45471J Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks BITECH
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T45331J Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks BITECH
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T44TU High Voltage Precision Thick Film Resistors WELWYN
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T436432B 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM TMT
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T43471J Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks BITECH
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T431616E 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM TMT
T431616E 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM ETC
T431616D 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM TMT
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