器件名称: H2222A
功能描述: NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小: 62.29KB 共1页
简 介:汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A
H 2222A
█ 主要用途
作音频功率放大,激励级放大、开关应用
█ 外形图及引脚排列
TO-92
█ 极限值(Ta=25℃)
T stg ——贮存温度………………………………… - 55~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率……………………………… 625mW V CBO ——集电极—基极电压……………………………… 75V V CEO ——集电极—发射极电压…………………………… 40V V E B O ——发射极—基极电压……………………………… 6V I C ——集电极电流……………………………………… 600mA
1―发射极,E 2―基 极,B 3―集电极,C
█ 电参数(Ta=25℃)
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat) fT
Cob
集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容
75 40 6 10 10 400 0.3 8
V V V nA nA V MHz pF
100 300
IC=10μA,IE=0 IC=10mA,IB=0 IE=10μA,IC=0 VCB=60V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=10V, IC=150mA IC=150mA, IB=15mA VCE=20V, IC=20mA VCB=10V,IE=0 f=1MHz
……