EEPW首页 | 器件索引 | 厂商列表 | IC替换 | 微缩略语 | 电路图查询
器件查询:
400万器件资料库等您来搜!
   首页 > ETC > H2222A

H2222A

器件名称: H2222A
功能描述: NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小: 62.29KB    共1页
生产厂商: ETC
下  载:    在线浏览   点击下载
简  介:汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 作音频功率放大,激励级放大、开关应用 █ 外形图及引脚排列 TO-92 █ 极限值(Ta=25℃) T stg ——贮存温度………………………………… - 55~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率……………………………… 625mW V CBO ——集电极—基极电压……………………………… 75V V CEO ——集电极—发射极电压…………………………… 40V V E B O ——发射极—基极电压……………………………… 6V I C ——集电极电流……………………………………… 600mA 1―发射极,E 2―基 极,B 3―集电极,C █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat) fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 75 40 6 10 10 400 0.3 8 V V V nA nA V MHz pF 100 300 IC=10μA,IE=0 IC=10mA,IB=0 IE=10μA,IC=0 VCB=60V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=10V, IC=150mA IC=150mA, IB=15mA VCE=20V, IC=20mA VCB=10V,IE=0 f=1MHz ……
相关电子器件
器件名 功能描述 生产厂商
H2222A NPN SILICON TRANSISTOR ETC
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
Copyright ©2002 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
京ICP备12027778号-2