器件名称: FZ800R12KS4
功能描述: IGBT-Module
文件大小: 101.03KB 共9页
简 介:Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorlufige Daten Preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 1200 V
IC,nom. IC ICRM
800 1200 1600
A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
6,9
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
800
A
IFRM
1600
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
2 It
185.000
A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2.500
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Gateladung gate charge Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 32 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
min.
……
