器件名称: FZ600R65KF1
功能描述: IGBT-Module
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简 介:Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 600 R 65 KF1
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tvj=125°C Tvj=25°C Tvj=-40°C TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 6500 6300 5800 600 1200 1200 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
11,4
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C
I2t
165
k A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
10,2
kV
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
VISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC……
