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BZX584C6V8 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C6V8 瑞斯特BZX584C6V8采用SOD-523封装，是一款6.8V的稳压二极管，稳压精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA测试电流下，动态阻抗为15Ω，反向漏电流为2µA@4V。该器件具有出色的电压稳定性、低动态阻抗和极高的可靠性，非常适合于移动电话、手持设备等对空间和性能要求高的便携式电子产品中进行电路电压调整。工作温度范围为-55℃至150℃。 RSTTEK

BZX584C75 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C7V5 瑞斯特BZX584C7V5为SOD-523封装小功率稳压管，标称电压7.5V，精度±5%，耗散功率150mW。其正向压降为0.85V。在5mA工作电流下，动态阻抗为15Ω，反向漏电流为0.5µA@5V。该器件具有优良的电压稳定特性（温度系数为5.3mV/℃）和超小型化封装优势，是极端高密度应用中的理想选择。其工作结温和贮存温度均为-55℃至150℃，保证了在宽温度范围内的稳定性能和长期可靠性。 RSTTEK

BZX584C7V5 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C8V2 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C8V2 瑞斯特BZX584C8V2是一款SOD-523封装的稳压二极管，提供8.2V稳压输出，精度±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA时，动态阻抗为15Ω，反向漏电流为0.5µA@5V。该产品具有高精度和低动态阻抗的特点，适用于超高密度电路板的电压调整和钳位。其工作结温范围为-55℃至150℃，采用高可靠性芯片和封装工艺，适合在移动电话、手持设备等产品中应用。 RSTTEK

BZX584C9V1 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C9V1 瑞斯特BZX584C9V1采用SOD-523封装，是一款9.1V的稳压二极管，电压精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA测试电流下，动态阻抗为15Ω，反向漏电流为0.5µA@6V。该器件具有出色的电压稳定性和高可靠性，专为便携式设备中高密度电路板的电压基准和保护应用而设计。其工作结温范围-55℃至150℃，SOD-523超小封装使其适用于空间极度受限的场景。 RSTTEK

BZX585 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585 Zener Diodes KEXIN

BZX585-B10 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B11 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B12 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B13 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B15 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B16 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B18 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B20 Voltage regulator diodes PHILIPS

BZX585-B22 Voltage regulator diodes PHILIPS