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BZX584C3V9 瑞斯特BZX584C3V9采用SOD-523封装，是一款3.9V的稳压二极管，稳压精度为±5%，耗散功率为150mW。其正向压降为0.85V，在5mA测试电流下动态阻抗为90Ω，反向漏电流为0.5µA@1V。该器件具有优良的电压调节性能和良好的温度补偿特性，适用于移动电话、手持设备等消费电子产品的高密度电路板电压调整。工作结温范围为-55℃至150℃，可靠性高。 RSTTEK

BZX584C43 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C43 瑞斯特BZX584C43是一款SOD-523封装的稳压二极管，提供43V稳压输出，精度±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA时，动态阻抗为100Ω，反向漏电流为0.1µA@32V。该产品具有高精度和低动态阻抗的特点，适用于超高密度电路板的电压调整和钳位。其工作结温范围为-55℃至150℃，采用高可靠性芯片和封装工艺，适合在移动电话、手持设备等产品中应用。 RSTTEK

BZX584C47 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C47 瑞斯特BZX584C47采用SOD-523封装，是一款47V的稳压二极管，电压精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA测试电流下，动态阻抗为100Ω，反向漏电流为0.1µA@35V。该器件具有出色的电压稳定性和高可靠性，专为便携式设备中高密度电路板的电压基准和保护应用而设计。其工作结温范围-55℃至150℃，SOD-523封装使其适用于空间极度受限的场景。 RSTTEK

BZX584C4V3 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C4V3 瑞斯特BZX584C4V3为SOD-523封装的小功率稳压管，提供4.3V的稳压输出，精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA条件下，动态阻抗为90Ω，反向漏电流为0.5µA@1V。该器件具有出色的电压稳定性和低漏电流优势，适合用于便携式设备中的精密电压基准。其SOD-523超小封装使其成为业界最小尺寸的稳压管之一，适用于高密度组装。 RSTTEK

BZX584C4V7 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C4V7 瑞斯特BZX584C4V7是一款SOD-523封装稳压二极管，标称电压4.7V，精度±5%，耗散功率150mW。正向压降为0.85V（IF=10mA），在5mA测试电流下动态阻抗为80Ω，反向漏电流为3µA@2V。该产品具有高精度、低动态阻抗和低漏电流等优点，是超高密度电路板电压调整和钳位的理想元件。工作结温范围宽（-55℃至150℃），可广泛用于移动电话、手持设备等产品。 RSTTEK

BZX584C51 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C56 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C5V1 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C5V1 瑞斯特BZX584C5V1采用SOD-523封装，是一款5.1V的稳压二极管，稳压精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA工作电流下，动态阻抗为60Ω，反向漏电流为2µA@2V。该器件具有优良的电压稳定特性和超小型化优势，非常适合于手机、手持设备和高密度电脑主板等产品的电源管理电路中。其工作结温和贮存温度范围均为-55℃至150℃，可靠性高。 RSTTEK

BZX584C5V6 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C5V6 瑞斯特BZX584C5V6为SOD-523封装稳压二极管，提供5.6V的稳压电压，精度为±5%，耗散功率为150mW。正向压降为0.85V。在5mA时，动态阻抗为40Ω，反向漏电流为1µA@2V。该产品具有优秀的电压调整能力和低漏电流特性，适合用于高密度组装的便携式电子设备中。SOD-523封装尺寸极小，工作结温范围为-55℃至150℃，适应性强，可提供长期稳定的电压参考 RSTTEK

BZX584C62 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C68 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C68 瑞斯特BZX584C68为SOD-523封装稳压二极管，标称电压68V，精度±5%，耗散功率150mW。正向压降为0.85V。在5mA条件下，动态阻抗为160Ω，反向漏电流为0.1µA@51V。该产品具有高精度稳压和超小型化封装特点，适用于移动电话、手持设备等产品的电路电压调整。其宽工作温度范围（-55℃至150℃）和高可靠性工艺，确保了其在各种严苛环境下的优异性能。 RSTTEK

BZX584C6V2 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES PANJIT

BZX584C6V2 瑞斯特BZX584C6V2是一款SOD-523封装的小功率稳压管，标称电压6.2V，精度±5%，最大耗散功率150mW。正向压降为0.85V。在5mA条件下，动态阻抗为10Ω，反向漏电流为3µA@4V。该器件具有高精度稳压、超小型化封装和高可靠性等特点，主要应用于移动电话、手持设备和高密度电脑主板等产品的电路电压调整。宽工作温度范围（-55℃至150℃）使其适应多种应用环境。 RSTTEK