RSTNG60N018A1

器件名称:RSTNG60N018A1

功能描述:瑞斯特RSTNG60N018A1是一款60V/200A的N沟道功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装。其典型导通电阻在VGS=10V时为1.8mΩ。该器件通过100% UIS和Rg测试，最高结温175°C，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用。

文件大小:2405.95KB 共8页

生产厂商:RSTTEK

下载: