RSTN30N023A2

器件名称:RSTN30N023A2

功能描述:瑞斯特RSTN30N023A2是一款30V/58A的N沟道功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3_8L_EP1_P封装。其典型导通电阻为2.3mΩ（@10V），在4.5V下为3mΩ，具有61.25mJ的雪崩能量。该器件通过了100% UIS和Rg测试，适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。

文件大小:2280.8KB 共8页

生产厂商:RSTTEK

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