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RSTN30N013A1
器件名称:
RSTN30N013A1
功能描述:
瑞斯特RSTN30N013A1是一款30V/150A的N沟道功率MOSFET,采用DFN5x6-8封装。其典型导通电阻为1.3mΩ(@10V),在4.5V下为1.7mΩ,具有372mJ的雪崩能量。该器件通过了100% UIS和Rg测试,适用于台式机电源管理、负载开关和笔记本电池管理。
文件大小:
2325.18KB 共8页
生产厂商:
RSTTEK
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