RST70N100I

器件名称:RST70N100I

功能描述:瑞斯特RST70N100I是一款N沟道功率MOSFET，基于沟槽工艺设计，具备低导通电阻和高ESD防护能力。其VDS为100V，ID为57A，RDS(ON)典型值为12mΩ（VGS=10V），封装为TO-251。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于电源开关、硬开关和高频电路，在不间断电源中表现稳定。

文件大小:1901.57KB 共6页

生产厂商:RSTTEK

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