RST60P65K

器件名称:RST60P65K

功能描述:瑞斯特RST60P65K是一款P沟道功率MOSFET，采用沟槽工艺实现极低导通电阻和高电流能力。其VDS为-60V，ID为-65A，RDS(ON)典型值为13mΩ（VGS=-10V），封装为TO-252-2L。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于负载开关应用，在服务器电源、工业控制和电池管理系统中具有出色表现。

文件大小:1947.52KB 共6页

生产厂商:RSTTEK

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