RST60P50

器件名称:RST60P50

功能描述:瑞斯特RST60P50是一款P沟道功率MOSFET，基于先进沟槽工艺，具备极低导通电阻和高电流承载能力。其VDS为-60V，ID为-50A，RDS(ON)典型值为23mΩ（VGS=-10V），封装为TO-220-3L，散热性能优良。该器件100%经过UIS和AVds测试，适用于负载开关、电源转换和工业驱动等高功率应用场景。

文件大小:1864.66KB 共6页

生产厂商:RSTTEK

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